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闪存市场又将迎来“震动”？长江存储将在年底量产64层<span style='color:red'>3D NAND</span>闪存芯片

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闪存市场又将迎来“震动”？长江存储将在年底量产64层3D NAND闪存芯片

国产存储芯片再下一城，日前有产业链方面的消息称，中国长江存储将如期在今年年底量产64层3D NAND闪存芯片，这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。对于这样的新面孔，镁光执行副总裁Sumit Sadana最近就曾表示，他和公司将密切关注中国存储新星的动态。同时指出，无论品质还是良率，新企业还有很大的提升空间，包括满足客户的各种需求。（言下之意是我们还是牛逼，你们一天两天内肯定还是赶不上！）同时Sadana还认为，位列前茅的闪存企业并不会被赶出市场，但会否进一步整合则有待观察。虽然长江入局的这一年闪存价格并非处于高位，其利润率或将受损；但中方客户们可能可能会更乐意采购长江存储的产品，在总需求没有显著改善的情况下也就意味着，逐步减少对国外品牌的依赖。而对普通消费者而言这无疑也是一件好事，虽说目前SSD的价格暂时还赶不上0．16元1GB的HDD（目前SSD的均价差不多在1元1GB上下），但越来越多的国产闪存入局势必会进一步拉低SSD等相关产品售价，看来5毛1G指日可待。

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闪存

发布时间：2019-04-01 00:00 阅读量：1524 继续阅读>>

内存价格终于要降了?<span style='color:red'>3D NAND</span>产能是关键

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内存价格终于要降了?3D NAND产能是关键

全球半导体行业在2017年创下了10年以来的最好成绩，年收入比2016年增长了22％，达到4291亿美元。这是根据英国分析公司IHS Markit的新统计数据得出的，HIS认为市场对内存芯片处理能力需求的大幅增加归因于新兴应用如大数据、物联网和机器学习。这一需求的增长使得三星电子作为全球领先芯片制造商占据第一位置，领先于竞争对手英特尔，而英特尔已经占据第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增长了54％。IHS表示，动态随机存取存储器芯片的销售总额增长了77％，而闪存芯片的销售额增长了47％。随着全年供应日益紧张，市场也受到明显影响，随着需求增加，2017年下半年收入也开始大幅增加。IHS表示，过去十年中DRAM和闪存的增长率是最高的。需求的增长也推动内存芯片制造商SK Hynix和Micron年增长率达到80%左右，分别在全球排名第三和第四位。IHS表示，一些半导体制造商的无晶圆厂商业模式（包括将芯片设计出售给第三方代工厂进行生产）也出现了大幅扩张。例如，智能手机芯片制造商高通公司（Qualcomm）去年的增长率为9.5％，尽管与苹果公司在法律上的纠缠令其盈利受到影响。Nvidia也首次跻身全球前十大芯片制造商行列。随着市场对其GPU的促球不断增长，使得Nvidia收入增长了42％，这些GPU越来越多地用于高性能计算和自动驾驶汽车等机器学习应用中。不过，IHS警告说，随着芯片制造商开始生产用于大数据内存处理的3D NAND闪存技术，整个行业可能会再次进行洗牌，例如英特尔为数据中心设计的Xpoint非易失性内存芯片。IHS内存和存储部门高级主管Craig Stice表示，目前向3D NAND的转换机会占到了生产的四分之三，并且将缓解来自SSD和移动市场的强劲需求。“价格预计将开始大幅下降，但2018年NAND市场仍然可能创下历史新高。”

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内存

发布时间：2018-04-08 00:00 阅读量：1420 继续阅读>>

西部数据拟砸5000亿日元携手东芝增产<span style='color:red'>3D NAND</span>

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西部数据拟砸5000亿日元携手东芝增产3D NAND

日经新闻10日报道，东芝(Toshiba)存储器事业合作伙伴Western Digital(西数)将在今后3年内对双方的合资事业投资5000亿日元，除了将用于四日市工厂新厂房的兴建费用之外、也将充作预计2020年启用的北上工厂的投资资金。2017年9月20日，东芝董事会批准决定以总购买价格约2兆日元出售东芝全资子公司TMC所有股票给贝恩资本(Bain Capital)牵头的财团。虽然东芝将TMC卖给日美韩联盟，但对于NAND Flash方面的投资并未减缓脚步。东芝曾加码对Fab6工厂的投资金额，而且在2017年底宣布在北上市（岩手县）建造一个新Fab7工厂，初期建设约投资70亿日元。西部数据因不满东芝把TMC出售给包括SK海力士在内的贝恩资本(Bain Capital)的日美韩联盟，而提起诉讼和仲裁。经过长达半年时间的协商，在2017年12月13日东芝已与西部数据就诉讼纠纷和仲裁达成和解，决定TMC和西部数据将共同参与投资正在日本Yokkaichi市建设中的Fab 6工厂，以及东芝将在日本岩手县新建Fab7工厂的项目。据报道，TMC卖给日美韩联盟后、仍将持续和西数进行合作，且因存储器需求扩大，故为了能因应顾客的增产请求，TMC/西数将藉由此次的新投资，阶段性提高3D NAND Flash产量。TMC已于去年秋天表明，今后每年将砸下3000多亿日元进行投资。TMC和西部数据积极的扩建工厂，除了稳固NAND Flash市场地位，其次是为了增加3D NAND产能满足市场需求。东芝和西部数据一直是仅次于三星的第二大NAND Flash供应商，在出售TMC之后，又适逢3D NAND进入快速成长期，为了提高在市场上具有绝对的竞争优势，以及保证股东的利益，东芝积极提升技术和新建工厂扩大产出也在意料之中。其次，在东芝TMC卖给的日美韩联盟中，除了贝恩资本和Hoya，东芝和金士顿拥有品牌SSD、闪存卡等产品线，SK海力士是重要的NAND Flash供应商，苹果是重要的NAND Flash采购客户，戴尔也需要满足电脑对SSD的需求，而且东芝还与希捷签订了NAND长期供应协议，这些客户未来将会一直大量消耗东芝的NAND Flash产能。时事通信社报道，TMC社长成毛康雄(身兼东芝副社长一职)3月9日表示，“正进行各种努力、力拼能在3月底前完成TMC出售案”。关于TMC出售案于各国独占禁止法的审查状况，成毛康雄指出，“除中国之外，其他各国皆已完成审查”。东芝于2017年12月13日宣布，将和西数进行和解、撤销相关诉讼，且将进一步强化于快闪存储器(Flash Memory)事业的合作关系。东芝目前和西数共同营运NAND型快闪存储器主要据点“四日市工厂”。东芝表示，之前因为和西数关系对立，故决定要对四日市工厂厂区内兴建中的新厂房(第6厂房)单独进行投资，不过因双方和解，故西数也将共同参与对第6厂房的投资；另外，关于位于日本岩手县北上市、预计明年(2018年)动工的新工厂，东芝也将和西数就共同投资一事进行协商。成毛康雄曾于2017年10月13日举行的事业说明会上表示，为了对抗最大对手三星、提升竞争力，“今后每年对设备投资、研发费用的投资额基本上将达3000多亿日元，且考虑在四日市工厂内兴建新厂房(第7厂房)”。

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西部数据

发布时间：2018-03-13 00:00 阅读量：1671 继续阅读>>

三星豪掷260亿美金投资半导体,<span style='color:red'>3D NAND</span>将产能过剩

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三星豪掷260亿美金投资半导体,3D NAND将产能过剩

三星电子今年的半导体资本支出大幅增加、增幅出乎市场意料之外，科技市调机构IC Insights警告，这会让3D NAND型快闪记忆体供给过剩，也扼杀了中国企业在3D NAND或DRAM市场大展身手的希望。 IC Insights 14日发表研究报告指出，今年全球半导体资本支出有望成长35%至908亿美元，其中三星今年的支出高达260亿美元、远多于去年的113亿美元，比英特尔、台积电加总起来还要多。 IC Insights总裁Bill McClean指出，他追踪半导体产业这37年来，从未看过如此积极的资本支出计划，三星今年的支出规模，在半导体业界可说是史无前例。（图为三星历年支出统计）该机构预测，三星今年第4季的半导体资本支出将达到86亿美元，占全球半导体产业支出总额(262亿美元)的33%。与此同时，三星Q4的导体销售额，对全球占比则将达16%。 IC Insights估计，三星今年的260亿美元半导体支出当中，140亿美元会分配给3D NAND、70亿美元分配给DRAM、50亿美元分配给专业晶圆代工(用来扩充10纳米制程产能)。三星今年的庞大资本支出，对未来影响极大。该机构相信，3D NAND市场很可能会有一段供过于求的时期，除了三星大举支出外，竞争对手(如SK海力士、美光、东芝、英特尔等)也会跟着扩充产能、以免丧失市占率。另一方面，三星大举支出，也等于扼杀了中国在3D NAND或DRAM市场大展身手的希望。

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三星,半导体,3D NAND

发布时间：2017-11-17 00:00 阅读量：1512 继续阅读>>

微缩极限近了,<span style='color:red'>3D NAND</span>离终点还远吗?

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微缩极限近了,3D NAND离终点还远吗?

随着平面的2D NAND Flash制程逐渐面临微缩极限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多数人所想象的更短许多… 在今年的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上，三星(Samsung)宣布开发1Tb 3D NAND，并将用于明年推出的商用产品中。不过，我想知道4Tb 3D NAND何时将会出现在市场上。根据来自三星与东芝(Toshiba)的信息，64层TLC 512Gb 3D NAND芯片尺寸约为130mm2。而假设以串行堆栈64层的条件下，我认为，为了建置4Tb NAND芯片：需要8串64层串行堆栈，才能实现容量达4Gb的芯片(512Gb×8=4G)；总层数在130mm2的芯片尺寸上达到512层；处理1个芯片大约需要1年的时间，内存逻辑则需要5周的处理时间；再将建置一个64层内存单元需的5-6周时间乘以8倍(8串64层的堆栈)。因此，处理一个512层的芯片将会需要45-53周的时间。如果这种简单的估算方法正确的话，那么实际上就不可能实现4Tb NAND芯片了。如果考虑采用四位单元(QLC)以取代三位单元(TLC)，那么充其量最多也只能改善25%。因此，QLC 4Tb 3D NAND需要410层，以及大约9个月的晶圆处理时间。那么16Tb 3D NAND呢？它应该会需要2,048层，以及大约4年的晶圆处理时间。过去几十年来，NAND在摩尔定律(Moore’s Law)的原则下实现了显着的成长。当摩尔定律逐渐迈向尾声，而平面NAND开始过渡至3D NAND时，许多人预期3D NAND将以垂直方向持续扩展其内存微缩。然而，3D NAND在64层时才能实现与平面NAND相当的价格。因此，3D NAND将开始与平面NAND展开价格竞争。而现在我认为期待4Tb NAND几乎是不可能的。 3D NAND的微缩极限似乎也变得显而易见了。那么，3D NAND将会很快地达到其生命周期的终点吗？我想可能不远了。

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微缩极限,3D NAND

发布时间：2017-10-13 00:00 阅读量：1490 继续阅读>>

美光:年底<span style='color:red'>3D NAND</span>产能占比升至80%,下一代产品高于72层

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美光:年底3D NAND产能占比升至80%,下一代产品高于72层

近日，美光副总裁Jonathan Shaw应邀出席中国闪存市场峰会（China Flash Market Summit），演讲结束后接受了国际电子商情记者采访，谈到最近存储市场的情况。美光64层3D NAND后将超过72层数近两年，几大存储芯片厂商皆在由2D NAND转向3D NAND，美光的3D NAND Flash于2016年底量产，第二代64层3D NAND于2017年进入量产，由32层32GB开始做起，目前已经发展到64层64GB。美光副总裁Jonathan Shaw表示，2017年底出货量会非常大，已有基于QLC的裸片样本，未来将投放到市场中。 2017年第二季度，美光NAND Flash市场份额为12.9%。受惠于企业SSD需求、市场供应短缺，以及3D NAND产能上升，NAND Flash营收表现良好。 Jonathan Shaw介绍，现在美光有一个管理机构，从生产角度提升产能并进行技术转化。在接下来的一年配备全自动化生产的工厂将有效促进产能的增加。现在各家原厂正积极的扩大64层/72层3D NAND的量产，三星、东芝/西部数据等也正在规划向下一代96层或更高的层数的QLC发展，当问及美光的72层 3D NAND有何进展时，Jonathan Shaw回答，美光的下一代产品必将超过72层，一切都在有条不紊的进行中。美光还非常看好SSD市场的发展，伴随着3D NAND技术的快速发展，有机会通过3D TLC的SSD取代企业级HDD市场。企业级SSD出货将随着数据中心的需求而增长，因此美光未来的营收成长也将持续看好。 NAND FLASH供货缓解或将在2018年第二季度由于技术转换，2D NAND产量缩小，以及3D NAND爬坡使得NAND Flash货源不足，价格强劲上涨。消费类闪存产品每GB的单价从2016年0.12美元上涨到0.3美元以上，主流的eMMC产品上涨幅度超过60%，SSD产品超过80%。Jonathan Shaw认为，闪存缺货形势或将于2018年第二季度缓解，但不是特别确定。他同时认为，供货情况应从细分市场来看，像存储卡类的市场供应并不紧张。实际上，据了解缺货能否得到缓解也要看几个因素。例如3D NAND的良率情况，各大厂商的扩产情况等。三星、西部数据、东芝、美光、英特尔等都已将扩展提上日程。现在美光新加坡IMFS Fab10N为美光3D NAND主力出货工厂，作为扩产计划的一部分，美光新加坡IMFS Fab10X工厂在2017年第一季度开始试产3D NAND，且将100%用于3D NAND生产。据介绍，2016-2017财年，美光3D NAND的生产占比约为75%，今年底将提升至80%。之所以保留了少部分2D NAND产能，是因为在车载、嵌入式应用、通讯设备方面都有长周期需求，故还将持续供货2D NAND。三星尽管最先量产3D NAND，不过基本以自用为主，现在3D NAND释出市场的大部分为美光供应。美光也非常看好中国市场潜力。Jonathan Shaw表示，因为上游存储芯片供应商有限，导致市场并没有太多选择，而中国大陆市场基数大，需求旺盛，创新企业非常多，情形像极了四五年前的台湾。因此，美光也对中国大陆市场倾注更多的关注和供应。

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发布时间：2017-09-25 00:00 阅读量：1634 继续阅读>>

东芝“卖血记”后续:迅速提升<span style='color:red'>3D NAND</span>产能追赶三星

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东芝“卖血记”后续:迅速提升3D NAND产能追赶三星

东芝公司已正式在9月20日决定将旗下半导体事业以2兆日圆出售给由美国私募股权业者贝恩资本（Bain Capital）代表的美日联盟，由于此出售案较预期延宕，对于NAND Flash市场的产能影响，预期要到明年上半年才会趋于明显；中长期而言，在资金到位的情况下，将有助东芝在3D-NAND产能与技术上力拼三星。 DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，此次出售案的收购对象日美韩联盟成员中包括日本政府支持的产业革新机构（INCJ）财团、日本发展银行（DBJ）、贝恩资本（Bain Capital）及韩国的SK Hynix集团等资金来源，加上苹果等业者，此阵营若能取得东芝经营权，在国家力量的支持下，管理高层的变动性与公司未来经营方向的变化性预料不会有太大的变化。新成员加入对于东芝/西数阵营，未来在新技术研发方向与新产能建设上无疑是注入一剂强心针。平均而言，一座NAND Flash新厂耗资约80亿美元（月产能约8-10万片），若是只靠东芝或是西数单一财务能力来看，长期而言，无论是在扩产或是技术研发皆难以与龙头三星比拼。就全球3D-NAND产能分布来看，东芝/西数阵营今年第二季的3D-NAND月产能只占总产能的10-15%水平，反观其主要竞争对手三星，其3D-NAND月产能占比已超过40%；美光/英特尔阵营的3D-NAND产能从去年下半年量产后，预期今年第三季占比将会突破40%。造成东芝/西数阵营落后的原因，即在于东芝母公司的财务问题。观察东芝/西数阵营在3D-NAND的布局状况，今年上半年主流制程为48层3D-NAND，预期今年第四季3D-NAND的占比将会占东芝/西数阵营整体产能约30%水平。在产能规划上，新的半导体厂房Fab6在2017年3月已开始动工兴建，预计在2019年才会开始量产最新的3D-NAND产品。值得注意的是，由于东芝与西数目前对于新厂的合作态度与先前有所不同，所以日后可能仍有变数存在。就短期的影响来看，陈玠玮表示，因为股权标案落幕时间较原先东芝规划来得晚，所以对市场的影响也会后推至明年上半年。预估在东芝3D-NAND产能扩充与良率提升速度可望优于预期下，加上明年上半年市场需求能见度不高的情形下，市场预期会转变成供过于求的状况，进而导致NAND Flash价格反转向下。中长期影响：资本支出不再受制母公司，大幅改善决策效率与积极度观察中长期的影响，东芝经过这次股权标案后，将独立于东芝集团之外成为百分之百的NAND Flash半导体公司，未来新公司的资本支出结构将不用再受到东芝母公司过去财务问题与内部间资源分配不均的拖累，而能更专注在NAND Flash相关的技术与产能投入，未来无论是在策略积极度、决策效率上都将较以往提升。最后，观察本次的出售案，若要顺利成行，关键的决定因素仍在于西数的态度以及双方未来可能的协商状况。目前东芝与西数仍共同出资持有生产工厂，东芝与西数持有比重为55:45，东芝若确定出售，未来与西数的合作模式与状况，以及新厂产能如何分配，也将成为重要的观察指标。

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东芝,3D NAND产能

发布时间：2017-09-22 00:00 阅读量：1714 继续阅读>>

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